Kundenspezifische CMP-Schlämme
Vollständig formulierte Schlämme, die nach Ihren Spezifikationen hergestellt werden
CMP-Produkte sind Schleifschlämme, die aus hochreinen Metalloxidpartikeln mit einer Größe von 50-200 nm bestehen. Die Schlämme werden je nach Anwendung optimiert und so formuliert, dass sie mit den zu polierenden Materialien kompatibel sind und eine optimale Abtragsrate und Selektivität aufweisen. Die Partikel sind in einer speziellen Polymermatrix dispergiert, die Netzmittel und Fließkontrolladditive enthält, um eine optimale Stabilität und eine einfache Entfernung nach Abschluss des CMP-Prozesses zu gewährleisten.
Sie haben einen CMP-Antrag, für den Sie die Hilfe eines Experten benötigen?
Unser Team kann Ihnen mit einer maßgeschneiderten Lösung helfen, die auf Ihre Bedürfnisse eingeht:
- Anwendungen mit geringem Volumen, die eine Kundenlösung erfordern
- Veralterung der derzeit qualifizierten Produkte
- Herausforderungen bei der Einfuhr oder US-Beschaffungsanforderungen
Unser Prozess
Intersurface Dynamics hat Zugang zum CMP-Technologielabor bei unserer Schwesterfirma Entrepix.
So können wir potenzielle CMP-Verbrauchsmaterialien und -Prozesse direkt auf den Wafern unserer Kunden prüfen und unseren Kunden einen schlüsselfertigen Prozess liefern, der durch aussagekräftige Anwendungsdaten unterstützt wird.
Unser Qualitätslabor ist auch in der Lage, alle für empfindliche Halbleiteranwendungen erforderlichen Analysen durchzuführen. Zu diesen Messungen gehören: Spurenmetalle mittels ICP-OES, pH-Wert und Leitfähigkeit, Viskosität und auf Anfrage Partikelgrößenmessungen.
Zu den Standardprodukten gehören die Vector TXT Slurry Base die im Anlieferungszustand verwendet und mit vom Kunden gelieferten Diamanten gemischt wird und die vielseitigste und wirtschaftlichste Lösung darstellt. Vector CE Diamantschlämme können mit Diamant vorgemischt erworben werden.
Vorteile:
Einstellbare Abtragsleistung von Folien
Abstimmbare Selektivität in Situationen, in denen mehrere Materialien auf dem Wafer vorhanden sind
Anpassbar zur Erreichung der gewünschten Wafertopographie
Geringe Defektivität auf Metall- und Oxidschichten
Vollständig kompatibel mit Dielektrika mit niedrigem k-Wert, Oxiden, Verbundwerkstoffen und anderen Schichten, die in modernen Halbleiterintegrationen verwendet werden
Sicher und wirtschaftlich in der Anwendung
ISO-zertifiziertes Programm und voll funktionsfähiges Qualitätsprüfungslabor