Candeo™是 IDI 推出的新一代 CMP 后清洗化学品，旨在显著降低颗粒和离子污染，从而提高良率并提升器件可靠性。
Candeo™ 专为在 Entrepix DSS-200 清洗平台上无缝使用而设计，并已通过 Entrepix CMP Foundry 的验证。与传统的氢氧化铵（NH₄OH）清洗方法相比，Candeo™ 不仅性能更优，而且不存在环境和操作方面的弊端。
应用
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使用氧化铝（Al₂O₃）或二氧化硅（SiO2）基浆料且存在复杂污染情况的工艺
- 硅和碳化硅（SiC）的CMP工艺
- 先进封装与器件制造
主要优势
更低的缺陷率，更高的良率
- 与NH₄OH相比，CMP后缺陷率最高可降低50%
- 有效去除颗粒物和离子污染物
- 支持针对先进器件的更严格的缺陷规格要求
总可用面积（TUA）增加
- 每片晶圆的良品数量更多
- 减少因残留污染物造成的产量损失
- 提高了晶圆级的一致性和性能
扩展工艺窗口
- 在更广泛的工艺条件下表现稳定
- 对变化的敏感度降低
- 提高了晶圆间重复性
无缝的平台集成
- 针对Entrepix DSS-200 和基于 OnTrak 的系统进行了优化
- 与现有工艺流程兼容
- 无需更换电刷或硬件
加快认证与采用
- 已通过Entrepix CMP Foundry 的实际环境测试验证
- 与现有化学品的一对一对比测试
- 降低客户风险，加快流程开发
对环境无害
- 可安全排放
- 无异味→ 改善工厂环境
- 与传统化学品相比，可减轻EHS负担
演出亮点
在代工测试中，与NH₄OH相比，PCMP缺陷（>0.2 µm）减少了约50%
已证实能够在不作任何修改的情况下，在相同的工具配置下运行
有效去除包括Al₂O₃颗粒和Al³⁺离子在内的难处理污染物
完整解决方案： 化学 + 平台 + 验证
IDI 旗下的 Candeo™
针对颗粒物和离子污染的先进配方
Entrepix DSS-200 平台
经过验证的晶圆清洗性能，实现无缝集成
Entrepix CMP 铸造厂
实际生产中的工艺开发、验证和基准测试
结果： 缺陷率降低、TUA 提高，客户采用速度加快
为什么选择 IDI + Entrepix
Amtech的半导体制造解决方案（SFS）部门独具匠心地融合了化学、设备和工艺方面的专业知识，以解决复杂的CMP清洗难题。
借助 Candeo™、Entrepix DSS-200 系统以及 CMP Foundry 的验证能力，客户可获得从工艺开发到大规模生产的全流程集成方案。
最大限度提高TUA。 将缺陷降至最低。
更多收益。更低风险。
Al2O3颗粒去除
Candeo 结合 OnTrak DSS 清洁平台，能够去除与晶圆表面形成共价键的Al2O3颗粒。
Candeo 化学技术显著提升了Al₂O₃的性能 颗粒去除效果较行业标准清洁方法显著提升
降低Al³⁺离子污染
Candeo 能够从悬浮液中去除Al³⁺离子，从而降低晶圆上的氧化铝污染水平。
客户反馈称，晶圆上的残留氧化铝污染物显著减少
PCMP 硅砂浆的清洁处理性能
Entrepix CMP 代工厂进行的头对头测试表明，Candeo 相比NH4OH具有性能优势
与行业标准的POR相比，使用Candeo可使PCMP缺陷率降低50%
Candeo™ 与传统 NH₄OH 的对比 CMP后清洗对比
半导体CMP后清洗应用中关键工艺指标的性能对比。
| Candeo™ (IDI) | 常规 NH₄OH 清洗 | |
|---|---|---|
| 缺陷减少 | 测试中，CMP后缺陷（>0.2 µm）减少了约50% | 行业基准表现 |
| 颗粒去除 | 高效去除难处理的污染物（包括 Al₂O₃ 颗粒） | 对顽固或嵌入的颗粒清洁效果较差 |
| 离子污染 | 高效去除金属离子（例如 Al³⁺） | 离子去除效率有限 |
| 总使用面积（TUA） | TUA 增加 → 每片晶圆的良品率提高 | 由于残余缺陷率较高，导致TUA降低 |
| 处理窗口 | 工艺范围宽、稳定且容错性强 | 工艺窗口更窄，对变化更敏感 |
| 晶圆间一致性 | 高重复性，结果一致 | 根据具体情况，变异性更大 |
| 工具兼容性 | 可直接兼容 DSS-200 / OnTrak 系统；无需进行任何硬件更改 | 虽然是标准做法，但通常会围绕旧有流程进行优化 |
| 整合风险 | 低——经 CMP Foundry 头对头测试验证 | 已建立，但针对高级节点可能需要进行调整 |
| 资格赛速度 | 通过实际生产环境的验证和基准测试实现加速 | 速度较慢——通常需要内部流程的迭代 |
| 环境概况 | 对环境无害，排放安全，无异味（符合贵方规格要求） | 危险品处理注意事项；气味刺鼻 |
| EHS / 晶圆厂环境 | 有利——操作环境得到改善 | 更高的EHS负担和处理要求 |