Productos químicos de limpieza Candeo™ para después del CMP
Reducción avanzada de defectos. Mayor rendimiento. Integración contrastada.
Diseñado para un uso sin problemas en las plataformas de limpieza Entrepix DSS-200 y validado a través de Entrepix CMP Foundry, Candeo™ ofrece un rendimiento superior en comparación con los procesos de limpieza convencionales con hidróxido de amonio (NH₄OH), sin los inconvenientes medioambientales y de manipulación que estos conllevan.
Aplicaciones
-
Procesos en los que se utiliza alúmina(Al₂O₃) o sílice (SiO2) y perfiles de contaminación complejos
- Procesos de CMP de silicio y carburo de silicio (SiC)
- Fabricación avanzada de dispositivos y encapsulado
Ventajas principales
Menos defectos, mayor rendimiento
- Reducción de hasta el 50 % en la tasa de defectos tras el proceso CMP en comparación con el NH₄OH
- Eliminación eficaz tanto de partículas como de contaminantes iónicos
- Admite especificaciones de defectos más estrictas para dispositivos avanzados
Aumento de la superficie útil total (TUA)
- Mayor número de chips buenos por oblea
- Reducción de la pérdida de rendimiento debida a la contaminación residual
- Mayor uniformidad y rendimiento a nivel de oblea
Ventana de proceso ampliada
- Rendimiento estable en una gama más amplia de condiciones de proceso
- Menor sensibilidad a las variaciones
- Mayor repetibilidad entre obleas
Integración perfecta con la plataforma
- Optimizado para los sistemas Entrepix DSS-200 y los basados en OnTrak
- Compatible con los flujos de proceso existentes
- No es necesario cambiar las escobillas ni los componentes.
Aceleración de la homologación y la adopción
- Validado mediante pruebas en condiciones reales de Entrepix CMP Foundry
- Comparativa directa frente a los productos químicos tradicionales
- Reduce el riesgo para el cliente y agiliza el desarrollo de los procesos
Respetuoso con el medio ambiente
- Se puede dar de baja
- Sin olores → mejor ambiente en la planta de fabricación
- Menor carga en materia de seguridad, salud y medio ambiente (EHS) en comparación con los productos químicos tradicionales
Aspectos destacados del rendimiento
Se ha demostrado una reducción de aproximadamente el 50 % en los defectos de PCMP (>0,2 µm) en comparación con el NH₄OH en pruebas de fundición.
Capacidad demostrada para funcionar con la misma configuración de herramientas sin necesidad de modificaciones
Eliminación eficaz de la contaminación más difícil, incluidas las partículas de Al₂O₃ y los iones Al³⁺
La solución completa: Química + Plataforma + Validación
Candeo™ de IDI
Fórmula avanzada que combate tanto la contaminación por partículas como la contaminación iónica
Plataforma Entrepix DSS-200
Rendimiento probado en la limpieza de obleas con una integración perfecta
Fundición CMP Entrepix
Desarrollo, validación y evaluación comparativa de procesos en el mundo real
Resultado: Menor índice de defectos, mayor TUA y una adopción más rápida por parte de los clientes
¿Por qué IDI + Entrepix?
El grupo de Soluciones para la Fabricación de Semiconductores (SFS) de Amtech combina de forma única sus conocimientos en química, equipos y procesos para resolver los complejos retos que plantea la limpieza mediante CMP.
Gracias a Candeo™, a los sistemas Entrepix DSS-200 y a las capacidades de validación de CMP Foundry, los clientes disponen de un proceso totalmente integrado que abarca desde el desarrollo de procesos hasta la fabricación a gran escala.
Maximizar el TUA. Minimizar los defectos.
Más beneficios. Menos riesgo.
Eliminación de partículas deAl₂O₃
Candeo, junto con la plataforma de limpieza OnTrak DSS, es capaz de eliminar las partículasde Al₂O₃ que están unidas covalentemente a la superficie de la oblea.
Candeo La química aporta una mejora significativa en la eliminación de partículas deAl₂O₃ frente a los métodos de limpieza estándar del sector
Reducción de la contaminación por iones Al³⁺
La capacidad de Candeo para eliminar los ionesAl³⁺ de la suspensión se traduce en una reducción de los niveles de contaminación por alúmina en la oblea.
Los clientes informan de una reducción significativa de la contaminación residual por alúmina en las obleas
Rendimiento limpio de PCMP para suspensiones de sílice
Las pruebas comparativas realizadas en la fundición Entrepix CMP demuestran las ventajas en cuanto a rendimiento de Candeo frente alNH₄OH
El uso de Candeo permite reducir en un 50 % la tasa de defectos de PCMP en comparación con el POR estándar del sector.
Candeo™ frente al NH₄OH convencional Comparación de la limpieza posterior al CMP
Comparación del rendimiento en función de los principales indicadores de proceso para aplicaciones de limpieza posterior al CMP en la industria de los semiconductores.
| Candeo™ (IDI) | Limpieza convencional con NH₄OH | |
|---|---|---|
| Reducción de defectos | Unos 50 % menos de defectos tras el CMP (>0,2 µm) en las pruebas | Resultados de referencia del sector |
| Eliminación de partículas | Eliminación altamente eficaz de contaminantes difíciles (incluidas las partículas de Al₂O₃) | Menos eficaz con partículas persistentes o incrustadas |
| Contaminación iónica | Eficaz eliminación de iones metálicos (por ejemplo, Al³⁺) | Eficacia limitada en la eliminación de iones |
| Superficie útil total (SUT) | Aumento del TUA → mayor número de chips válidos por oblea | Menor TUA debido a una mayor defectividad residual |
| Ventana de proceso | Rango de procesamiento amplio, estable y flexible | Una ventana de proceso más estrecha, más sensible a las variaciones |
| Consistencia entre obleas | Alta repetibilidad y resultados consistentes | Mayor variabilidad en función de las condiciones |
| Compatibilidad de herramientas | Compatible sin modificaciones con los sistemas DSS-200 y OnTrak; no requiere cambios de hardware | Estándar, pero a menudo optimizado en función de procesos heredados |
| Riesgo de integración | Bajo — validado mediante pruebas comparativas directas de CMP Foundry | Ya está configurado, pero puede que sea necesario ajustarlo para los nodos avanzados |
| Velocidad de clasificación | Acelerado mediante validación y pruebas comparativas en condiciones reales de fundición | Más lento: suele requerir la iteración de procesos internos |
| Perfil medioambiental | Respetuoso con el medio ambiente, apto para su vertido, sin olor (según sus especificaciones) | Consideraciones sobre la manipulación de sustancias peligrosas; olor intenso |
| EHS / Entorno de la fábrica | Aspecto positivo: mejora del entorno de trabajo del operador | Mayor carga en materia de seguridad, salud y medio ambiente, y mayores requisitos de manipulación |